從ASML的官網可以看到，目前ASML在售的最高端的DUV光刻機，也就是浸潤式光刻機一共有4種，分別是NXT:2100i、2050i、2000i、1980Di。

這4種光刻機，其分辨率均是38nm的，但實際最高都能制造7nm的芯片的，所以很多網友非常不明白，38nm的精度，如何做出7nm的芯片？

首先大家要明白一個道理，那就是現在的7nm芯片，并不是指晶體管是7nm，或者柵極長度是7nm，或者金屬半間距是7nm。

7nm其實是一種等效說法，台積電的7nm，其MP（金屬距離）=36nm，GP（柵極距離）=56nm。如果其它芯片廠商，只要其MP=36nm左右，一樣可以認為是7nm的。

這個大家就理解了吧，7nm芯片的精度，其實并不需要真正達到7nm，實際達到36nm就夠了，這是前提條件之一。

第二，還有種技術叫做多重曝光技術，目前多重曝光技術已經發展成了4成，分別是LELE，LFLE，以及SADP、SAQP。

LELE、LFLE原理差不多，將原來一層光刻圖形被拆分到兩個或多個掩膜上，然后就實現了圖像密度的疊加。

而SADP、SAQP原理也差不多，其中SADP叫雙重圖形化工藝，而SAQP則是四重曝光技術，這4種技術，都是intel折騰出來的。

結合7nm芯片的特點，再加上多重曝光技術，所以明明最小分辨率為38nm的浸潤式光刻機，也能制造7nm的芯片。

不過大家要注意的是，多一次曝光，成本就差不多要翻倍，再考慮良率等，采用多重曝光后的芯片成本，會高很多。

所以如果晶圓廠有辦法，能夠買到更高分辨率的光刻機，一般都不會采用多重曝光技術，因為成本高，良率低，劃不來，只有買不到更高分辨率的光刻機，才不得不使用多重曝光技術。

所以像台積電、三星等，在7nm工藝時，就直接導入EUV光刻機了，這樣效率高，良率也高，那麼成本就會低很多，而既然有EUV光刻機使用，又何必使用浸潤式光刻機，采用多重曝光呢？是不是傻？